FSBL 03XU

BL03XUの概要

本ビームラインは、第一ハッチ(薄膜構造物性)と第二ハッチ(動的ナノ・メソ広域構造物性)から構成されています。


第一実験ハッチ(薄膜構造物性用ハッチ)

■有機・高分子薄膜および表面・界面の動的構造物性の解明
様々の外部環境下における結晶性高分子薄膜や表面領域の結晶化度・結晶の乱れ・長周期構造、ブロック共重合体薄膜のミクロ相分離構造、 さらには超分子組織体の薄膜状態における分子凝集構造などを解明することを目的としまして、微小角入射広角X線回折(GIWAXD)測定、 微小角入射小角X線散乱(GISAXS)測定、それらの時間分解測定と同時測定、 そしてX線反射率測定が実施可能な、有機・高分子薄膜の構造物性評価に特化した計測システムを構築します。
本システムは、時間分解GIWAXD/GISAXS同時測定による有機・高分子フィルムや薄膜の製膜過程、熱処理過程、 結晶化過程における動的階層構造の解明に極めて有効な国内で唯一の実験システムです。 薄膜状態や表面・界面領域のソフトマターの構造制御に有用な知見を与える本システムは、有機EL、有機FET、有機メモリー材料などの電子デバイス分野、 接着・塗装分野、印刷分野、生体材料分野など幅広いソフトマターの高性能化において、多大な貢献が期待されています。

第二実験ハッチ(高精度小角・広角散乱同時測定用ハッチ)

■新規材料開発のための高分子材料動的構造並びに物性との相関解明
外部環境変化(延伸・紡糸等の応力印可、加熱・冷却、圧力変化、溶媒蒸発など)により誘起される結晶化・相転移・融解過程におけるソフトマターの階層構造の形成・崩壊機構を、 小角X線散乱・広角X線回折(SAXS/WAXD)と種々の物理量との同時時間分解測定にて解明する事を目的としています。

■高分子材料の極小および局所領域における構造物性の解明
マイクロビームもしくはナノビームを利用したSAXS/WAXD同時測定および微小角入射小角・広角X線散乱(GISWAXS)測定により微小領域(モノフィラメント、 ナノプリンティング領域など)および局所領域(表面・界面領域、薄膜など)における静的・動的構造特性を解明する事を目的としています。

■高分子結晶の電子密度分布の解明
高分子は主に軽元素で構成され、単結晶の調製が難しく、比較的乱れの大きい結晶構造を形成するものが多いです。 また、一般的なX線結晶構造解析からは水素の位置決定が不可能なことから、弱い水素結合や双極子相互作用などの存在は明確にされていない場合が多いです。
そこで、精密広角回折装置を利用して集めたX線回折データに基づき高分子結晶の電子密度分布を解明し、 物性との直接的関連性を明らかにする事を目的としています。

■高分子成型品の変形機構解明
時間分解SAXS/WAXD同時測定により、引張り応力・圧縮応力・ずり応力印加過程における高分子成型品の変形・破壊機構をナノ~サブミクロンスケールで解明する事を目的としています。

■成型加工過程における高分子材料の構造物性の解明
新製品開発や既製品のクレーム対応を目的として、企業の生産ラインおよび研究開発のための試作ラインの一部を実験ハッチで再現し、 成型加工過程における高分子の分子配向機構および階層構造形成機構を時間分解SAXS/WAXD同時測定により解明する事を目的としています。

↑ PAGE TOP